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SSM5G06FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Multi-chip discrete device (P-ch + SBD) Internal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current (Q1) ID -0.1 A \nQ2 Average Forward Current IO 100 mA \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V \nQ2 Reverse Voltage VR 12 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM5G06FE	文件：298.52 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P-Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode 文件：298.52 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J402TU(TE85L,F)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6	TOSHIBA 东芝上传：深圳市旺财半导体有限公司	TOSHIBA
SSM6K504NU	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM6K504NUMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	UDFN6B	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝

技术参数

Configuration：
P-ch MOS + SBD
(Q1)VDS (Max)(V)：
-20
(Q1)ID (Max)(A)：
-0.1
(Q2)VR (Max)(V)：
12
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
ESV
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.55
Package Size(mm^2)：
2.56

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SSM5G09TU	TOSHIBA	24+	SOT-353SOT-323-5	8200	新进库存/原装	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	SSM5G10TU	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-353	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	SSM5G10TU	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-353	6820	价格优势支持实单	询价
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更多SSM5G06FE供应商更新时间2025-12-15 15:30:00

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