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SSM3K78CTC中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM3K78CTC

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

丝印标识

K

封装外壳

CST3C

文件大小

284.56 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 17:56:00

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SSM3K78CTC规格书详情

Applications

• High-Speed Switching

• Analog Switches

特性 Features

(1) 1.2-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 9.0 Ω (max) (@VGS = 1.2 V, ID = 10 mA)

RDS(ON) = 3.1 Ω (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 20 mA)

RDS(ON) = 2.4 Ω (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 150 mA)

RDS(ON) = 1.6 Ω (max) (@VGS = 2.5 V, ID = 150 mA)

RDS(ON) = 1.1 Ω (max) (@VGS = 4.5 V, ID = 150 mA)

(3) Low leakage current

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Silicon
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