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SSM3K62TU	文件：402.04 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN3；Package：UFM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 50 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 60 mΩ (typ.) 文件：402.04 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TU	文件：381.62 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 文件：381.62 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TU_V01	文件：402.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 50 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 60 mΩ (typ.) 文件：402.04 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TULF	文件：402.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 50 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 60 mΩ (typ.) 文件：402.04 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TULXGF	文件：402.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 50 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 60 mΩ (typ.) 文件：402.04 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TULXHF	文件：402.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.2-V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 50 mΩ (typ.) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 60 mΩ (typ.) 文件：402.04 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K62TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 0.8 A \nDrain-Source voltage VDSS 20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-8 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
UFM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
20
ID(A)：
0.8
=1.2V：
0.432
=2.5V：
0.068
=4.5V：
0.057
Qg(nC)：
2.0
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	SSM3K62TU	TOSHIBA/东芝	2511	SOT-323	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多SSM3K62TU供应商更新时间2026-1-30 12:00:00

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