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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •RelayDrivers Features (1)AEC-Q101Qualified(Note1). (2)4.0-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=200mΩ(max)(@VGS=4.0V,ID=1.0A) RDS(ON)=176mΩ(max)(@VGS=4.5V,ID=2.0A) RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=10V,ID=2.0A) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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