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SSM3K335R	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	Marking：KFM；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications •PowerManagementSwitches •DC-DCConverters Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=38mΩ(max)(@VGS=10V) RDS(ON)=56mΩ(max)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K335R	文件：1.02575 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSM3K335R	文件：235.49 Kbytes Page：9 Pages	Power Management Switches DC-DC Converters	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K335R_V01	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications •PowerManagementSwitches •DC-DCConverters Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)4.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=38mΩ(max)(@VGS=10V) RDS(ON)=56mΩ(max)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SSM3K335R_14	文件：235.18 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM3K335R
功能描述：
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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