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SSM3K335R	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KFM；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 文件：250.89 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335R	文件：235.49 Kbytes Page：9 Pages	Power Management Switches DC-DC Converters 文件：235.49 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335R	文件：1.02575 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02575 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K335R_V01	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 文件：250.89 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335RLF	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 文件：250.89 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335RLXGF	文件：250.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 文件：250.89 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335R_14	文件：235.18 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) 文件：235.18 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K335R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 6 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
ID(A)：
6.0
=4.5V：
0.056
=10V：
0.038
Qg(nC)：
2.7
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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更多SSM3K335R供应商更新时间2025-10-12 9:04:00

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