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SSM3K333R	文件：167.27 Kbytes Page：3 Pages	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC SSM3K333R is an N-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance and superior switching performance. The UTC SSM3K333R is usually used in power management switching applications. FEATURES * RDS(ON) 文件：167.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
SSM3K333R	文件：215.73 Kbytes Page：5 Pages	Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications ○ High-Speed Switching Applications • 4.5V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) : RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 文件：215.73 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K333R	文件：370.16 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KFK；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching Features (1) 4.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 文件：370.16 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K333R	文件：1.0267 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：1.0267 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K333R_V01	文件：370.16 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOSVII-H) Applications • Power Management Switches • High-Speed Switching Features (1) 4.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V) 文件：370.16 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K333RG-AE3-R	文件：167.27 Kbytes Page：3 Pages	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC SSM3K333R is an N-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance and superior switching performance. The UTC SSM3K333R is usually used in power management switching applications. FEATURES * RDS(ON) 文件：167.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
SSM3K333RL-AE3-R	文件：167.27 Kbytes Page：3 Pages	6A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC SSM3K333R is an N-channel power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance and superior switching performance. The UTC SSM3K333R is usually used in power management switching applications. FEATURES * RDS(ON) 文件：167.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
SSM3K333R_14	文件：234.43 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS VII-H) 文件：234.43 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K333R_15	文件：167.27 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：167.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
SSM3K333RG-AE3-R	文件：167.27 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：167.27 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
30
ID(A)：
6.0
=4.5V：
0.042
=10V：
0.028
Qg(nC)：
3.4
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM3K333R供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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