SSM3K324R中文资料东芝数据手册PDF规格书
SSM3K324R规格书详情
Features
(1) 1.8-V gate drive voltage.
(2) Low drain-source on-resistance
: RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
Applications
• Power Management Switches
• DC-DC Converters
产品属性
- 型号:
SSM3K324R
- 功能描述:
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23-3 |
503299 |
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询价 | ||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
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TOSHIBA/东芝 |
2407+ |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-23F |
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TOSHIBA(东芝) |
24+ |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-23F |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT23 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT23 |
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TOSHIBA |
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SOT-23F |
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