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SSM3K324R中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM3K324R
厂商型号

SSM3K324R

功能描述

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

文件大小

265.1 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-18 16:40:00

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SSM3K324R规格书详情

Features

(1) 1.8-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

Applications

• Power Management Switches

• DC-DC Converters

产品属性

  • 型号:

    SSM3K324R

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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