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SSM3K15AFS_V01	文件：234.07 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) LoadSwitchingApplications •2.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM3K15AFS_V01

文件：234.07 Kbytes

Page：5 Pages

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

LoadSwitchingApplications •2.5Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=3.6Ω(max)(@VGS=4V) RDS(ON)=6.0Ω(max)(@VGS=2.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多SSM3K15AFS_V01供应商更新时间2025-7-18 11:13:00