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SSM3K122TU_V01	文件：335.06 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •AEC-Q101qualified(Note1) •1.5Vdrive •LowON-resistance Ron=211mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=161mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=123mΩ(max)(@VGS=4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM3K122TU_V01

文件：335.06 Kbytes

Page：7 Pages

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

PowerManagementSwitchApplications High-SpeedSwitchingApplications •AEC-Q101qualified(Note1) •1.5Vdrive •LowON-resistance Ron=211mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=161mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=123mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多SSM3K122TU_V01供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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