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SSM3K122TU_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications • AEC-Q101 qualified (Note 1) • 1.5 V drive • Low ON-resistance Ron = 211 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 161 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 123 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

文件:335.06 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K16CT

TOSHIBA
CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM3K341R

TOSHIBA
SOT23-3

SSM3K341RLXHF

TOSHIBA
SOT-23

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TOSHIBA
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更多SSM3K122TU_V01供应商 更新时间2025-10-12 15:38:00