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SSM3J65CTC中文资料东芝数据手册PDF规格书

SSM3J65CTC
厂商型号

SSM3J65CTC

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

丝印标识

H

封装外壳

CST3C

文件大小

385.67 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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SSM3J65CTC规格书详情

Applications

• Power Management Switches

特性 Features

(1) 1.2 V drive

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 1110 mΩ (typ.) (@VGS = -1.2 V)

RDS(ON) = 780 mΩ (typ.) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 650 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 510 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 400 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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