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SSM3J374R	文件：286.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJA；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = 文件：286.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374R	文件：290.57 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJA；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：290.57 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374R_V01	文件：286.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = 文件：286.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374RLF	文件：286.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = 文件：286.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374RLXGF	文件：286.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = 文件：286.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374RLXHF	文件：286.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = 文件：286.65 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J374R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：High ESD protected\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -4 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS -20/+10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
SOT-23F
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.4 x 0.8
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-30
ID(A)：
-4.0
=4.5V：
0.105
=10V：
0.071
Qg(nC)：
5.9
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSM3J374R供应商更新时间2025-10-13 14:14:00

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