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SSM3J358R

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID -6 A \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V ;

Toshiba

东芝

SSM3J358R

丝印:SPD;Package:SOT-23F;MOSFETs Silicon P-Channel MOS

文件:379.29 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J35CTC,L3F

TOSHIBA

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市三芯电子有限公司

SSM3K16CT

TOSHIBA
CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-10

  • ID(A):

    -6.0

  • PD(W):

    1.0

  • Ciss(pF):

    1331

  • Qg(nC):

    38.5

  • =1.8V:

    0.0493

  • =2.5V:

    0.0328

  • =4.5V:

    0.0253

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    SOT-23F

  • Generation:

    U-MOSⅦ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.9 x 2.4 x 0.8

  • Package Size(mm^2):

    6.96

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

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更多SSM3J358R供应商 更新时间2025-10-13 11:29:00