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SSM3J352F

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nGeneration:U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID -2 A \nPower Dissipation PD 0.6 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-12 V ;

Toshiba

东芝

SSM3J352F

丝印:KJW;Package:S-Mini;MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

文件:346.83 Kbytes 页数:8 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J35CTC,L3F

TOSHIBA

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市三芯电子有限公司

SSM3K16CT

TOSHIBA
CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

TOSHIBA/东芝
-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

技术参数

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -20

  • VGSS(V):

    +/-12

  • ID(A):

    -2.0

  • PD(W):

    0.6

  • Ciss(pF):

    210

  • Qg(nC):

    5.1

  • =1.8V:

    0.443

  • =2.5V:

    0.199

  • =4.5V:

    0.136

  • =10V:

    0.11

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    S-Mini

  • Generation:

    U-MOSⅥ

  • Width×Length×Height(mm):

    2.9 x 2.5 x 1.1

  • Package Size(mm^2):

    7.25

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SSM3J352F供应商 更新时间2025-10-10 15:01:00