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SSM3J334R_V01	文件：476.19 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SSM3J334R_V01

文件：476.19 Kbytes

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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications LowON-resistance:RDS(ON)=71mΩ(max)(@VGS=-10V) RDS(ON)=105mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=136mΩ(max)(@VGS=-4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多SSM3J334R_V01供应商更新时间2025-7-24 13:28:00