TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○Power Management Switch Applications • 1.8-V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 144 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

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TOSHIBA

东芝

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