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SSM3J332R	文件：216.21 Kbytes Page：6 Pages	PowerManagementSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM3J332R	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM3J332R	文件：1.04867 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSM3J332R	文件：351.56 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications •1.8-Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM3J332R	文件：463.34 Kbytes Page：7 Pages	P−CHANNELMOSFET FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW

更多SSM3J332R.L供应商更新时间2024-6-9 14:06:00