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SSM3J332R

PowerManagementSwitchApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

SSM3J332R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

SSM3J332R

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SSM3J332R

TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI)

○PowerManagementSwitchApplications •1.8-Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

SSM3J332R

P−CHANNELMOSFET

FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

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更多SSM3J332R,LF(T供应商 更新时间2024-6-11 9:10:00