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SSM3J331R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=100mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=75mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=55mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM3J331R_V01供应商 更新时间2025-7-21 15:22:00