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SSM3J328R_V01	文件：413.4 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) 1.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 88.4 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 39.7 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 文件：413.4 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J35CTC,L3F	文件：0 bytes Page：0 Pages		TOSHIBA 东芝上传：深圳市三芯电子有限公司	TOSHIBA
SSM3K16CT	文件：0 bytes Page：0 Pages	CST3	TOSHIBA 东芝上传：深圳市创芯联盈电子有限公司	TOSHIBA
SSM3K333RMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
SSM3K341R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	TOSHIBA 东芝上传：深圳市科芯源微电子有限公司	TOSHIBA

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更多SSM3J328R_V01供应商更新时间2025-12-10 11:06:00