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SSM3J327R_V01	文件：432.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features (1) 1.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 93 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 文件：432.89 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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SSM3K333RMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	TOSHIBA/东芝上传：深圳庞田科技有限公司	TOSHIBA/东芝
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更多SSM3J327R_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00