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SSM3J327R_V01	文件：432.89 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=240mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=168mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=123mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=93mΩ(max)(@VGS=-4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=240mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=168mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=123mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=93mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM3J327R_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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