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SSM3J168F	文件：431.78 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KFX；Package：SOT-346；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • High-Speed Switching • Analog Switches • Interfacing Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0 V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 1.3 文件：431.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168F	文件：406.38 Kbytes Page：9 Pages	丝印：KFX；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：406.38 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168F_V01	文件：431.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • High-Speed Switching • Analog Switches • Interfacing Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0 V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 1.3 文件：431.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168FLF	文件：431.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • High-Speed Switching • Analog Switches • Interfacing Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0 V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 1.3 文件：431.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168FLXGF	文件：431.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • High-Speed Switching • Analog Switches • Interfacing Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0 V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 1.3 文件：431.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168FLXHF	文件：431.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • High-Speed Switching • Analog Switches • Interfacing Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 4.0 V drive (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.) (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 1.3 文件：431.78 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J168F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -0.4 A \nDrain-Source voltage VDSS -60 V \nGate-Source voltage VGSS -20/+10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-60
ID(A)：
-0.4
=4.5V：
1.9
=10V：
1.55
Qg(nC)：
3.0
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	98000	原装现货假一罚十	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-23	10000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市润联芯城科技有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-23	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市外芯人半导体有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	1113	原装现货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	SSM3J168F	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-23	60000		询价
深圳市南科功率半导体有限公司	SSM3J168F	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价

更多SSM3J168F供应商更新时间2025-12-14 8:31:00

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