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SSM3J145TU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications • Power Management Switches Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 180 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 132 mΩ (max) (@VGS

文件:274.57 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J35CTC,L3F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市三芯电子有限公司

SSM3K16CT

CST3

SSM3K333RMOS(场效应管)

-

TOSHIBA/东芝

上传:深圳庞田科技有限公司

TOSHIBA/东芝

SSM3K341R

SOT23-3

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更多SSM3J145TU_V01供应商 更新时间2025-11-30 10:21:00