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SSM3J140TU	文件：293.99 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJC；Package：UFM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS 文件：293.99 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TU	文件：297.88 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJC；Package：UFM；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：297.88 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TU_V01	文件：293.99 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS 文件：293.99 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TULF	文件：293.99 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS 文件：293.99 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TULXGF	文件：293.99 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS 文件：293.99 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TULXHF	文件：293.99 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI) Applications • Power Management Switches Features 1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) 2) 1.5-V gate drive voltage. 3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 63.2 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 41.1 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 31.0 mΩ (max) (@VGS 文件：293.99 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3J140TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：High ESD protected\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -4.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
UFM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-4.4
=2.5V：
0.031
=4.5V：
0.0258
Qg(nC)：
24.8
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	SSM3J140TU	TOSHIBA/东芝	20+	SOT-323	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多SSM3J140TU供应商更新时间2026-1-29 14:00:00

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