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SSM3J118TU

Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications

High-Speed Switching Applications • 4 V drive • Low ON-resistance: Ron = 480 mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 240 mΩ (max) (@VGS = −10 V)

文件:131.68 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J118TU

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3J118TU

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:P-ch\nAEC-Q101:Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 泰国 Drain current ID -1.4 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝

SSM3J135TULF(B

UFM-3

SSM3J35CTC,L3F

TOSHIBA

东芝

上传:深圳市三芯电子有限公司

技术参数

  • Package name(Toshiba):

    UFM

  • Width×Length×Height(mm):

    2.0 x 2.1 x 0.7

  • AEC-Q101:

    Qualified(*)

  • Polarity:

    P-ch

  • VDSS(V):

    -30

  • ID(A):

    -1.4

  • =10V:

    0.24

  • Tch(℃):

    150

  • Drive voltage type:

    Logic-Level Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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