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SSM3J112TU中文资料PDF规格书

SSM3J112TU
厂商型号

SSM3J112TU

功能描述

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High Speed Switching Applications

文件大小

131.86 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 22:58:00

SSM3J112TU规格书详情

High Speed Switching Applications

• 4V drive

• Low on-resistance: Ron = 790mΩ (max) (@VGS = −4 V)

Ron = 390mΩ (max) (@VGS = −10 V)

产品属性

  • 型号:

    SSM3J112TU

  • 功能描述:

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
2016+
SOT-323
6000
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