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SSM3J110TU	文件：143.4 Kbytes Page：5 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications HighSpeedSwitchingApplications •1.8Vdrive •Lowon-resistance:Ron=240mΩ(max)(@VGS=−1.8V) Ron=145mΩ(max)(@VGS=−2.5V) Ron=94mΩ(max)(@VGS=−4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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文件：143.4 Kbytes

Page：5 Pages

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications •1.8Vdrive •Lowon-resistance:Ron=240mΩ(max)(@VGS=−1.8V) Ron=145mΩ(max)(@VGS=−2.5V) Ron=94mΩ(max)(@VGS=−4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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