丝印：956；Package：TCSPED-302701；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Battery protection circuits Features (1) Low source-source on-resistance : RSS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (@VGS = 3.8 V) : RSS(ON) = 1.0 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) (2) RoHS Compatible (Note 1) (3) Halogen-free

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TOSHIBA

东芝

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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力勤

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