丝印：956；Package：TCSPED-302701；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Battery protection circuits Features (1) Low source-source on-resistance : RSS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (@VGS = 3.8 V) : RSS(ON) = 1.0 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) (2) RoHS Compatible (Note 1) (3) Halogen-free

文件：409.11 Kbytes 页数：9 Pages

TOSHIBA

东芝

Power MOSFET (N-ch dual)

Application Scope：Lithium-Ion Secondary Batteries\n\nPolarity：N-ch×2\n\nGeneration：U-MOSⅧ-R\n\nInternal Connection：Common drain\n\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available

Toshiba

东芝

ADI
8-SOIC

ADI

上传：深圳市盈慧通电子有限公司

ADI/亚德诺
SOP16

ADI/亚德诺

上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司

ADI/亚德诺
SOP8

ADI/亚德诺

上传：深圳市芯皇电子有限公司