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12N80	文件：202.23 Kbytes Page：6 Pages	12A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC12N80isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandh	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
DAM12N80B	文件：229.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAM12N80D	文件：232.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FIR12N80ANG	文件：2.37425 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FKPF12N80	文件：170.49 Kbytes Page：7 Pages	ApplicationExplanation ApplicationExplanation •Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier •TVsets,stereo,refrigerator,washingmachine •Electricblanket,solenoiddriver,smallmotorcontrol •Photocopier,electrictool	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FKPF12N80	文件：131.97 Kbytes Page：7 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristorPlanarSilicon ApplicationExplanation •Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier •TVsets,stereo,refrigerator,washingmachine •Electricblanket,solenoiddriver,smallmotorcontrol •Photocopier,electrictool	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFC12N80P	文件：207.62 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH12N80P	文件：176.36 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH12N80P	文件：372.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ12N80	文件：316.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ12N80P	文件：176.36 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV12N80P	文件：176.36 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV12N80PS	文件：176.36 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSH12N80供应商更新时间2024-6-11 14:00:00

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