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SSW10N60B	文件：686.47 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STGB10N60L	文件：88.68 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VD2PAKLOGICLEVELIGBT N-CHANNEL10A-600VD2PAKLOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■SURFACE-MOUNTINGD2PAK(TO-263)POWERPACKAGEINTUBE(NOSUFFIX)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10N60	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT APPLICATIONS ■ELECTRONICIGNITION ■LIGHTDIMMER ■STATICRELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10N60L	文件：88.65 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT N-CHANNEL10A-600VTO-220LOGICLEVELIGBT ■HIGHINPUTIMPEDANCE(VOLTAGEDRIVEN) ■VERYLOWON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWTHRESHOLDVOLTAGE(LOGICLEVELINPUT) ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT APPLICATIONS ■ELECTRONICIGNITION ■LIGHTDIMMER ■STATICRELAY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SVF10N60AT	文件：1.10771 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF10N60T	文件：1.10769 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVFP10N60CAFJ	文件：291.74 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.75 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.72 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVFP10N60CAFJ	文件：291.71 Kbytes Page：8 Pages	10A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

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详细参数

型号：
SSH10N60B
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/10a/0.8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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