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UPA2610	文件：304.07 Kbytes Page：11 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2610,whichhasaheatspreader,isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Thinsurfacemountpackagewithheatspreader •1.8Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VB2610N	文件：736.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2610N	文件：724.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBL2610N	文件：412.39 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VDA2610CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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