丝印：SSD3；Package：V-DFN5060-4；1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BRIDGE

Features Low profile package, ideal for thin portable applications Low forward voltage drop reduces power dissipation Soft switching characteristic ensures that EMI and EFI are minimized Guard ring die construction for transient protection Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halo

文件：586.76 Kbytes 页数：5 Pages

DIODES

美台半导体

丝印：30N02；Package：TO-252；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：495.6 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

丝印：CJU30N03；Package：TO-252；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：548.52 Kbytes 页数：3 Pages

SECOS

喜可士

丝印：3215B；Package：TO-252；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：588.29 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

丝印：35P03；Package：TO-252；P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：364.97 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

丝印：35P06；Package：TO-252；P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：319.14 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

Packaging specifications

surface mounting type

文件：373.8 Kbytes 页数：8 Pages

ROHM

罗姆

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件：1.0655 Mbytes 页数：5 Pages

SECOS

喜可士

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：512.61 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：756.18 Kbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特