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SID20N06-90I

文件：645.77 Kbytes

Page：4 Pages

N-ChannelEnhancementMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

技术参数

  • Type：

    N

  • VDSS (V)：

    60

  • VGS (V)：

    ± 20

  • RDS(on)(Ohms)：

    94 (mΩ)

  • ID (A)：

    19

  • PD (W)：

    50

  • Package：

    TO-252(D-Pack)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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