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SSD20N06-90D	文件：401.98 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowRDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,pri	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD20N06-90D	文件：899.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSD20N06-90D	文件：674.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSD20N06-90D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MosFET;	SecosSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	Secos
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AM20N06-90D	文件：350.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
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技术参数

Type：
N
VDSS (V)：
60
VGS (V)：
± 20
RDS(on)(Ohms)：
94 (mΩ)
ID (A)：
19
PD (W)：
50
Package：
TO-252(D-Pack)

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更多SSD20N06-90D供应商更新时间2025-7-28 14:02:00

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