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SS9018GBU 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 ONSEMI/安森美半导体

SS9018GBU参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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  • 厂家型号:

    SS9018GBU

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ONSEMI/安森美半导体

  • 库存数量:

    12000

  • 产品封装:

    NA

  • 生产批号:

    18+ROHS

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2024-6-3 16:20:00

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原厂料号:SS9018GBU品牌:ONSEMI

全新原装!优势库存热卖中!

SS9018GBU是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商ONSEMI/onsemi生产封装NA/TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)的SS9018GBU晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    SS9018GBU

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 资料说明:

    射频双极小信号晶体管 NPN/30V/50mA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    SS9018GBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    1.1GHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    72 @ 1mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

供应商

  • 企业:

    标准国际(香港)有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    康小姐

  • 手机:

    13714976628

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    0755-83206150/83258002/83223169

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