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SS9014D	文件：38.64 Kbytes Page：4 Pages	Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise Pre-Amplifier,LowLevel&LowNoise •Hightotalpowerdissipation.(PT=450mW) •HighhFEandgoodlinearity •ComplementarytoSS9015	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ST9014	文件：642.41 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
ST9014	文件：298.7 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,CandD,accordingtoitsDCcurrentgain.AscomplementarytypethePNPtransistorST9015isrecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigura	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC9014	文件：78.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistor NPNEpitaxialSiliconTransistor AudioFrequencyAmplifier&HighFrequencyOSC. •ComplementtoSTC9015 •Collector-BaseVoltage:VCBO=60V •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=300MHz(TYP) •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base)	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
STC9014N	文件：234.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •ComplementarypairwithSTA9015N	AUK AUK corp	AUK
STC9014SF	文件：248.93 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •ComplementarypairwithSTA9015SF	AUK AUK corp	AUK
STS9014	文件：213.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.) •Lownoise:NF=10dB(Max.)atf=1KHz •ComplementarypairwithSTS9015	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STS9014	文件：92.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
STS9014	文件：213.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
TEC9014	文件：130.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
SS9014CTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/50V/100MA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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