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STS9014	文件：92.18 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
TEC9014	文件：130.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
U9014	文件：228.74 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V •LowerRDS(ON):0.362Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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STS9014

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NPNSiliconTransistor

AUK

AUK corp

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文件：130.03 Kbytes

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SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS)

AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS. DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES .HighVoltageandHighCurrent :VcEO=50V(Min.),Ic=150mA(Max.) .LowNoise:NF=0.9dB(Typ.)atf=lkHz .ComplementarytoTEC9015

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

U9014

文件：228.74 Kbytes

Page：7 Pages

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V •LowerRDS(ON):0.362Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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产品属性

产品编号：
SS9014BBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，5V
频率 - 跃迁：
270MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

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更多SS9014BBU供应商更新时间2025-5-22 18:05:00

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