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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市正迈科技有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!-

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深圳市吉中创电子科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市特莱科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

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京海半导体(深圳)有限公司

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原装现货假一罚十

深圳廊盛科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-92

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只做原装假一罚十,欢迎咨询

深圳市正迈科技有限公司

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SS9011HBU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS9011HBU_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    SS9011HBU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    97 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3