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SS8550Y2

CJ长电SOT23-6

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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SS8550

SS8550

CJSOT89

6500

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深圳安居芯科技有限公司

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Hottech(合科泰)SOT-23

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深圳市凌旭科技有限公司

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FairchildSMD

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深圳市讯顺达科技有限公司

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SS8550

BORN(伯恩半导体)SOT-23

50000

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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SS8550

CJ/长晶SOT-323

120000

20+

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深圳市创新迹电子有限公司

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SS8550

CJ/长电SOT-23

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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SS8550

长电SOT-23

999999

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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SS8550

UMW 友台SOT-23-3

15000

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原装正品，实单请联系

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SS8550

MENGKE/盟科SOT-23

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SS8550

CJ/长电TO-92(TO-92-3)

7300

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飞利飞科技有限公司

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SS8550

长电SOT-23

25700

14+无铅

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深圳市鑫洋微电子科技有限公司

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SS8550

CJTO-92

100000

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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SS8550DBU

FAIRCHILDTO92

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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SS8550DBU

ONSEMI/安森美明嘉莱只做原装正品现货

2510000

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深圳市赛尔通科技有限公司

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SS8550DBU

FSCTO92

56000

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深圳市恒达亿科技有限公司

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SS8550CTA

ONTO-92-3

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深圳市坤融电子科技有限公司

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SS8550LT1/Y2

CJ/长电SOT23

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深圳市乐创天科技有限公司

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SS8550Y2

CJ长电SOT23-6

3000

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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SS8550DTA

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SS8550功能描述:STO-23 Plastic-Encapsulate Transistors(HAROM ELECTRONIC)

SS8550B制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

SS8550BBU功能描述:两极晶体管 - BJT TO92 PNP 2W BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS8550BTA功能描述:两极晶体管 - BJT TO92 PNP 2W A/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS8550C制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

SS8550-C制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Transistors

SS8550CBU功能描述:两极晶体管 - BJT TO92 PNP 2W BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS8550CTA功能描述:两极晶体管 - BJT TO92 PNP 2W A/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS8550CTA_Q功能描述:两极晶体管 - BJT TO92 PNP 2W A/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

SS8550D制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon

晶体管资料

  • 型号：

    SS8550

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_通用 （G）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    40V

  • 最大电流允许值：

    1.5A

  • 最大工作频率：

    120MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-10

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    40

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    120000000

  • atest：

    1.5

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