SS8550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

厂商型号	SS8550
参数属性	SS8550 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3
功能描述	PNP外延硅晶体管 TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3
封装外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 20:00:00
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SS8550规格书详情

特性 Features

•SS8050的补充器件
•集电极电流： IC= 1.5A
•集电极损耗： PC = 2W (TC=25°C) 在B类推挽式操作中使用的便携无线电的2W输出放大器。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

SS8550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的SS8550晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

制造商编号
：SS8550
生产厂家
：ONSEMI
Pb-free
：Pb
Status
：Active
Polarity
：NPN
Type
：General Purpose
VCE(sat) Max (V)
：0.5
IC Cont. (A)
：1.5
VCEO Min (V)
：25
VCBO (V)
：40
VEBO (V)
：6
VBE(sat) (V)
：1.2
VBE(on) (V)
：1
hFE Min
：120
hFE Max
：200
fT Min (MHz)
：100
PTM Max (W)
：1
Package Type
：TO-92-3

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