8.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 8

文件：726.6 Kbytes 页数：3 Pages

DGNJDZ

南晶电子

SMB Plastic-Encapsulate Diodes

文件：1.19322 Mbytes 页数：4 Pages

HDSEMI

海德半导体

丝印：S82B；Package：SMBF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier

文件：924.35 Kbytes 页数：3 Pages

JUXING

广东钜兴电子

丝印：MDDSS82C；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

文件：827.92 Kbytes 页数：3 Pages

CHENDA

辰达半导体

Schottky rectifiers

文件：185.49 Kbytes 页数：3 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

8A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

文件：125.82 Kbytes 页数：2 Pages

FRONTIER

Schottky rectifier

文件：660.33 Kbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECT

文件：1.0058 Mbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

肖特基二极管

YJ

益嘉源

AC-DC

SS8201B是一款内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET的降压型(BUCK)非隔离恒压输出调节器。采用特有的多模式控制技术，只需要极少的外围组件就可以达到优异的恒压特性。输出电压可通过外部FB电阻调整。内置高压启动和自供电模块(BVSS电压可达1000V)，实现系统快速启动、超低待机功耗、自供电等功能。SS8201B采用独特结构解决了浪涌和群脉冲抑制能力，可实现不低于±4KV的实验测试。 芯片内置多种保护措施:如软启动;芯片供电欠压、钳位、过压保护; 系统过温保护; 逐周期限流保护;输出过压、短路保护;电流采样前沿消隐。 • 负载电流：500mA ( 5V )   ;   200mA ( 12V )\n• 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET\n• 输出电压 3.3V~24V可通过FB电阻调整\n• 多种模式控制，无异音工作\n• 待机功耗低于75mW\n• 采用独有的PWM/PFM多模式控制技术，无需环路补偿电容，系统待机功耗低，效率高，动态特性好，轻载噪声低;

ORISILICON

矽源特科技