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SS8201B

AC-DC

SS8201B是一款内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET的降压型(BUCK)非隔离恒压输出调节器。采用特有的多模式控制技术,只需要极少的外围组件就可以达到优异的恒压特性。输出电压可通过外部FB电阻调整。内置高压启动和自供电模块(BVSS电压可达1000V),实现系统快速启动、超低待机功耗、自供电等功能。SS8201B采用独特结构解决了浪涌和群脉冲抑制能力,可实现不低于±4KV的实验测试。 芯片内置多种保护措施:如软启动;芯片供电欠压、钳位、过压保护; 系统过温保护; 逐周期限流保护;输出过压、短路保护;电流采样前沿消隐。 • 负载电流:500mA ( 5V )   ;   200mA ( 12V )\n• 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET\n• 输出电压 3.3V~24V可通过FB电阻调整\n• 多种模式控制,无异音工作\n• 待机功耗低于75mW\n• 采用独有的PWM/PFM多模式控制技术,无需环路补偿电容,系统待机功耗低,效率高,动态特性好,轻载噪声低;

ORISILICON

矽源特科技

STLC8201

DUAL BAND WIRELESS LAN BASEBAND PROCESSOR

文件:84.97 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS8201

Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package. ● ESD Protected.

文件:565.17 Kbytes 页数:8 Pages

SAMHOP

三合微科

STS8201

Dual N-Channel MOSFET

FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:442.48 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • 封装形式:

    SOP8

  • 工作温度范围(℃):

    -40~125

  • 静态工作电流(μA):

    160

  • 产品封测:

    CP+FT

  • 负载电流(A):

    500mA(5V);200mA(12V)

  • 工作电压:

    800V

  • 驱动器件类型:

    内置NMOS

  • 内置高压二极管:

    NC

  • VOUT(V):

    外部可调

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更多SS8201B供应商 更新时间2026-4-17 11:08:00