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STPR810DB	文件：37.64 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to200Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Superfastswitchingtimeforhighefficiency ●Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability ●Lowreverseleakagecurrent ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityc	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
STPR810DB	文件：76.33 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
STPR810DB	文件：79.82 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
STPR810DF	文件：40.39 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to600Volts FORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Superfastswitchingtimeforhighefficiency ●Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability ●Lowreverseleakagecurrent ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityc	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
STPR810DF	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASUPER-FASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●DiffusedJunction ●Super-FastSwitchingTimesforHighEfficiency ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto125APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRati	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
STPR810DF	文件：79.52 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
STPR810DF	文件：83.01 Kbytes Page：2 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Glasspassivatedchip Superfastswitchingtimeforhighefficiency Lowforwardvoltagedropandhighcurrentcapability Lowreverseleakagecurrent *Highsurgecapacity	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
STTH810	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH810D	文件：193.7 Kbytes Page：11 Pages	Ultrafastrecovery-highvoltagediode Description Thehighqualitydesignofthisdiodehasproducedadevicewithlowleakagecurrent,regularlyreproduciblecharacteristicsandintrinsicruggedness.Thesecharacteristicsmakeitidealforheavydutyapplicationsthatdemandlongtermreliability. Featuresandbenefits ■Ultrafast	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH810D	文件：100.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC

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