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SS8050HRLT1G	文件：803.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1HE；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES ● High current capacity in compact package. IC =1.5 A. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: L8050H ● Pb-Free Package is available. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl 文件：803.76 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SS8050HRLT3G	文件：803.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1HE；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES ● High current capacity in compact package. IC =1.5 A. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: L8050H ● Pb-Free Package is available. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl 文件：803.76 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SS8050HSLT1G	文件：803.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1HG；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES ● High current capacity in compact package. IC =1.5 A. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: L8050H ● Pb-Free Package is available. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl 文件：803.76 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SS8050HSLT3G	文件：803.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1HG；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES ● High current capacity in compact package. IC =1.5 A. ● Epitaxial planar type. ● NPN complement: L8050H ● Pb-Free Package is available. ● S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl 文件：803.76 Kbytes 页数：3 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
SS8050-J	文件：450.53 Kbytes Page：3 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-23；NPN Transistors NPN Transistors Features ● Collector Current: IC=1.5A 文件：450.53 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
SS8050-L	文件：450.53 Kbytes Page：3 Pages	丝印：Y1；Package：SOT-23；NPN Transistors NPN Transistors Features ● Collector Current: IC=1.5A 文件：450.53 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
SS8050-L-HF	文件：567.01 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors Features - Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating. - High conductance. - Surface mount package ideally suited for automatic insertion. 文件：567.01 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SS8050LT1	文件：403.69 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Transistors NPN General Purpose Transistors Pb Lead(Pb)-Free 文件：403.69 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
SS8050LT1	文件：131.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Power dissipation PCM : 0.3 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM : 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.7 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
SS8050LT1-SOT-23	文件：131.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURES Power dissipation PCM : 0.3 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM : 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：131.7 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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晶体管资料

型号：
SS8050
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
190MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
40
htest：
190000000
atest：
1.5
wtest：
1

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
1.5
VCEO Min (V)：
25
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1.2
VBE(on) (V)：
1
hFE Min：
120
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
1
Package Type：
TO-92-3

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更多SS8供应商更新时间2025-12-24 15:12:00

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