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SS12	文件：550.44 Kbytes Page：2 Pages	丝印：SS12；Package：SMA(DO-214AC)；1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V FEATURES * Ideal for surface mounted applications * Low leakage current * Metallurgically bonded construction * High reliability * RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H * Moisture Sensitivity Level 1 文件：550.44 Kbytes 页数：2 Pages	PACELEADER 霈峰	PACELEADER
SS12T3	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for 文件：63.45 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SS12T3	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier Description The SS12−S100 series includes high−efficiency, low power loss, general−propose schottky rectifiers. The clip −bonded leg structure provides high thermal performance and low electrical resistance. These rectifiers are suited for free wheeling, secondary rectification, and reverse polar 文件：64.31 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SS12T3	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：115.51 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SS12T3	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available 文件：58.16 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECCSR120L1HR	文件：307.38 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SS12；Package：SMA；1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V 文件：307.38 Kbytes 页数：5 Pages	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
ECCSR120L1R	文件：307.38 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SS12；Package：SMA；1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V 文件：307.38 Kbytes 页数：5 Pages	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
SS12	文件：551.83 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SS12；Package：SMA；Schottky Barrier Rectifiers 文件：551.83 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
SS12F	文件：616.3 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS12；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：616.3 Kbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SS12F	文件：475.95 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SS12；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：475.95 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

详细参数

型号：
SS12
功能描述：
DIODE SCHOTTKY POWER 1A 20V SMA
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

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