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SS12	文件：550.44 Kbytes Page：2 Pages	Marking：SS12；Package：SMA(DO-214AC)；1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V FEATURES Idealforsurfacemountedapplications Lowleakagecurrent Metallurgicallybondedconstruction Highreliability RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH MoistureSensitivityLevel1	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
SS12	文件：131.63 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMA；Schottky Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss, general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructure provideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance. Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification, andreversepo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12G	文件：2.25902 Mbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMA；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotectionapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SS12GF	文件：2.34587 Mbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMAF；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpolarityprotectionapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
SS12T3	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12−S100seriesincludeshigh−efficiency,lowpowerloss,general−proposeschottkyrectifiers.Theclip−bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SS12T3	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：SS12；Package：SMB；Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N−ChannelSOT−23 Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECCSR120L1HR	文件：307.38 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMA；1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V	E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司	E-CMOS
ECCSR120L1R	文件：307.38 Kbytes Page：5 Pages	Marking：SS12；Package：SMA；1.0A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers - 20V-200V	E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司	E-CMOS

产品属性

产品编号：
SS12
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	SS12	GeneralSemiconductor(GSI)	03+	DO-214	2000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SS12	TWGMC臺灣迪嘉	25+	SMA	36000	TWGMC臺灣迪嘉原装现货SS12即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多SS12供应商更新时间2025-7-19 16:00:00

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