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SSBD10100CT

MainProductCharacteristics

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司

SSBD10100CTD

MainProductCharacteristics

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司

SSBD10100CTF

MainProductCharacteristics

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司

SSBR10100CT

HighJunctionTemperature

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司

SSBR10100CTF

HighJunctionTemperature

SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD.

新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司

ST10100

SCHOTTKYRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

烧结金属

ST10100

SCHOTTKYRECTIFIER

Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Ultralowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability 

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微电子桑德斯微电子器件(南京)有限公司

ST10100C

SCHOTTKYRECTIFIER

Features 150CTJoperation Ultralowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability TrenchMOSSchottkytechnol

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微电子桑德斯微电子器件(南京)有限公司

ST10100C

SCHOTTKYRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

烧结金属

ST10100S

SCHOTTKYRECTIFIER

SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd

烧结金属

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