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SS07N70数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

SS07N70

参数属性

SS07N70 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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SS07N70规格书详情

描述 Description

CooLMOS™ 是一款革命性的高压功率 MOSFET 技术,它基于超结 (Sj)原理进行设计,由英飞凌科技公司开创。  700V CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内领先的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术由此产生的器件具备了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点,不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。

特性 Features

• 由于非常低的优质系数(R DS(ON)*Q g) 和 E oss),因此损耗极低
• 非常高的换流坚固性
• 产品使用简便
• 无铅电镀无卤模具化合物
• 根据 JEDEC,符合消费级应用要求

优势:

应用 Application

• 适配器
• LCD 和 PDV 电视

简介

SS07N70属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的SS07N70晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SS07N70

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :700.0V

  • RDS (on) max

    :950.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :4.5A

  • Ptot max

    :37.0W

  • IDpuls max

    :12.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :15.3nC 

  • Rth 

    :3.4K/W 

  • RthJC max

    :3.4K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 150.0°C

  • Pin Count 

    :3.0Pins 

  • Mounting 

    :THT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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