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SS07N70

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:942.11 Kbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

SS07N70

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CooLMOS™ 是一款革命性的高压功率 MOSFET 技术,它基于超结 (Sj)原理进行设计,由英飞凌科技公司开创。  700V CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内领先的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术由此产生的器件具备了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点,不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效,结构紧凑、重量更轻、温度更低。 • 由于非常低的优质系数(R DS(ON)*Q g) 和 E oss),因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 产品使用简便\n• 无铅电镀无卤模具化合物\n• 根据 JEDEC,符合消费级应用要求\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

SS07N70_15

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:942.11 Kbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

SS07N70AKMA1

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VDS max:

    700.0V

  • RDS (on) max:

    950.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    4.5A

  • Ptot max:

    37.0W

  • IDpuls max:

    12.0A

  • VGS(th) min max:

    2.5V 3.5V

  • QG :

    15.3nC 

  • Rth :

    3.4K/W 

  • RthJC max:

    3.4K/W

  • RthJA max:

    62.0K/W

  • Operating Temperature min max:

    -55.0°C 150.0°C

  • Pin Count :

    3.0Pins 

  • Mounting :

    THT

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更多SS07N70供应商 更新时间2025-12-24 9:26:00