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TPV8200B	文件：184.8 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine NPNSiliconRFPowerTransistor TheTPV8200BisdesignedforoutputstagesinbandIVandVTVtransmitteramplifiers.Itincorporateshighvalueemitterballastresistors,goldmetallizationsandoffersahighdegreeofreliabilityandruggedness. Includinginputandoutputmatchin	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TSHG8200	文件：109.68 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,830nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION TSHG8200isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerandhighspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):∅5 •Peakwavelength:λp=830nm	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG8200	文件：101.18 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG8200	文件：113.53 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG8200	文件：112.82 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION TSHG8200isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):5 •Peakwavelength:p=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

VRM (V)：
200
lO (A)：
8
IFSM (A)：
120
Rated lo(A)：
8
VF (V)：
0.82
IR@25℃(mA)：
0.2
IR@100℃(mA)：
50
Typical Thermal Resistance (℃/W)：
15
CJ (PF)：
400
TJ（℃）：
-55～+150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	SR8200TB		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多SR8200L供应商更新时间2025-7-29 11:06:00

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