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SR704	文件：36.63 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances resu 文件：36.63 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
SR704	文件：300 bytes Page：1 Pages	VDMOS SHORTFORM S1	Polyfet RF Devices	Polyfet RF Devices
SR7040C	文件：880.66 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 70 Amperes FEATURES * Low switching noise * Low forward voltage drop * Low thermal resistance * High current capability * High switching capability * High surge capabitity * High reliability 文件：880.66 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SR7045C	文件：880.66 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 70 Amperes FEATURES * Low switching noise * Low forward voltage drop * Low thermal resistance * High current capability * High switching capability * High surge capabitity * High reliability 文件：880.66 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SR704U	文件：36.38 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances resu 文件：36.38 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
SR704_14	文件：62.46 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER VDMOS TRANSISTOR 文件：62.46 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
SR704U	文件：62.19 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER VDMOS TRANSISTOR 文件：62.19 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
SR704U_14	文件：62.19 Kbytes Page：2 Pages	RF POWER VDMOS TRANSISTOR 文件：62.19 Kbytes 页数：2 Pages	Polyfet	Polyfet
SR7045C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Diodes	Rectron 丽正国际	Rectron
SR704U	文件：300 bytes Page：1 Pages	VDMOS SHORTFORM S1	Polyfet RF Devices	Polyfet RF Devices

技术参数

Forward Current Io：
70 A
Max Surge Current：
600 A
Forward Voltage Vf：
0.65 V
Reverse Current Ir：
1000 uA
Recovery Time：
N/A
Package / Case：
TO-220
Mounting Style：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SR704供应商更新时间2025-10-14 10:31:00

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